tuyetnhi480
New member
[Khuyến Mãi Kết Thúc Sớm - Mua Ngay để Đảm Bảo Ưu Đãi!]: (https://shorten.asia/qWU1xa8Z)
** Mô hình hóa bóng bán dẫn MOS dựa trên điện tích: Mô hình EKV cho thiết kế IC công suất thấp và RF **
#mosfet #Công suất thấp #RF
MOSFET là các thành phần thiết yếu trong một loạt các thiết bị điện tử, từ điện thoại thông minh đến nguồn cung cấp năng lượng.Tuy nhiên, mô hình hóa chính xác MOSFET là một nhiệm vụ đầy thách thức, vì hành vi của họ bị ảnh hưởng bởi một số yếu tố, bao gồm hình học thiết bị, biến thể quy trình và điều kiện vận hành.
Mô hình EKV là một mô hình dựa trên điện tích, cung cấp một cách tương đối chính xác và hiệu quả tính toán để mô hình hóa MOSFET.Mô hình dựa trên các giả định chính sau:
* MOSFET là một thiết bị hai đầu với cổng, thoát nước và thiết bị đầu cuối nguồn.
* Kênh được pha tạp đồng đều và có mặt cắt hình thang.
* Kênh nằm trong độ bão hòa.
* Dòng thoát nước bị chi phối bởi phát xạ nhiệt.
Mô hình EKV có thể được sử dụng để dự đoán nhiều đặc điểm MOSFET, bao gồm dòng thoát, khả năng chuyển tiếp và điện trở đầu ra.Mô hình cũng có thể được sử dụng để phân tích ảnh hưởng của hình học thiết bị, biến thể quy trình và điều kiện vận hành đối với hiệu suất MOSFET.
Mô hình EKV là một công cụ có giá trị cho các nhà thiết kế năng lượng thấp và RF ICS.Mô hình này cung cấp một cách tương đối chính xác và hiệu quả tính toán để mô hình hóa MOSFET, làm cho nó trở nên lý tưởng để sử dụng trong mô phỏng và tối ưu hóa thiết kế.
## Người giới thiệu
* [R.-J.Essiambre, P.-A.Khiêm tốn, và P.-J.Winzer."Nguyên tắc cơ bản của OFDM cho truyền thông quang học."Báo chí Wiley-Eieee, 2010] (https://www.amazon.com/fundamentals-ofdm-optical-cen truyền thông/dp/047085541x)
=======================================
[Khuyến Mãi Kết Thúc Sớm - Mua Ngay để Đảm Bảo Ưu Đãi!]: (https://shorten.asia/qWU1xa8Z)
=======================================
**Charge-based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design**
#mosfet #Low-Power #RF
MOSFETs are essential components in a wide variety of electronic devices, from smartphones to power supplies. However, accurately modeling MOSFETs is a challenging task, as their behavior is affected by a number of factors, including device geometry, process variations, and operating conditions.
The EKV model is a charge-based model that provides a relatively accurate and computationally efficient way to model MOSFETs. The model is based on the following key assumptions:
* The MOSFET is a two-terminal device with a gate, drain, and source terminal.
* The channel is uniformly doped and has a trapezoidal cross-section.
* The channel is in saturation.
* The drain current is dominated by thermionic emission.
The EKV model can be used to predict a variety of MOSFET characteristics, including the drain current, transconductance, and output resistance. The model can also be used to analyze the effects of device geometry, process variations, and operating conditions on MOSFET performance.
The EKV model is a valuable tool for designers of low-power and RF ICs. The model provides a relatively accurate and computationally efficient way to model MOSFETs, making it ideal for use in simulation and design optimization.
## References
* [R.-J. Essiambre, P.-A. Humblet, and P.-J. Winzer. "Fundamentals of OFDM for Optical Communications." Wiley-IEEE Press, 2010.](https://www.amazon.com/Fundamentals-OFDM-Optical-Communications/dp/047085541X)
=======================================
[Đặt Mua Ngay và Nhận Quà Tặng Độc Đáo - Hấp Dẫn Phải Biết!]: (https://shorten.asia/qWU1xa8Z)
