tronghieuho
New member
[Sản phẩm này dành riêng cho bạn, đừng bỏ lỡ!]: (https://shorten.asia/NdU1xCqq)
** Khiếm khuyết điểm nội tại, tạp chất và sự khuếch tán của chúng trong silicon **
** Hashtags: **
**Giới thiệu**
Silicon là vật liệu bán dẫn quan trọng nhất được sử dụng trong sản xuất các mạch tích hợp.Các tính chất của silicon được xác định bởi sự hiện diện của các khiếm khuyết và tạp chất điểm nội tại.Khiếm khuyết điểm là các khiếm khuyết quy mô nguyên tử xảy ra khi các nguyên tử bị thiếu trong mạng tinh thể hoặc khi các nguyên tử bị đặt sai chỗ.Các tạp chất là các nguyên tử của các yếu tố khác được đưa vào tinh thể silicon.Sự hiện diện của các khiếm khuyết và tạp chất điểm có thể ảnh hưởng đến các tính chất điện của silicon, và cũng có thể dẫn đến sự cố thiết bị.
** Khiếm khuyết điểm nội tại **
Các khiếm khuyết điểm nội tại phổ biến nhất trong silicon là các vị trí tuyển dụng và kẽ.Vị trí tuyển dụng xảy ra khi một nguyên tử bị thiếu trong mạng tinh thể và các kẽ xảy ra khi một nguyên tử nằm ở vị trí giữa hai nguyên tử trong mạng.Vị trí tuyển dụng và kẽ có thể được tạo ra bằng năng lượng nhiệt, bức xạ ion hóa hoặc ứng suất cơ học.
Vị trí tuyển dụng và kẽ có thể di chuyển qua mạng tinh thể bằng một quá trình gọi là khuếch tán.Khuếch tán là sự di chuyển của các nguyên tử từ một vùng có nồng độ cao sang một vùng có nồng độ thấp.Tốc độ khuếch tán phụ thuộc vào nhiệt độ của silicon, nồng độ chỗ trống và kẽ, và kích thước của tinh thể silicon.
** tạp chất **
Các tạp chất có thể được đưa vào silicon trong quá trình sản xuất hoặc bằng cách ô nhiễm từ môi trường.Các tạp chất phổ biến nhất trong silicon là boron, phốt pho và asen.Boron là một loại dopant loại p, có nghĩa là nó đưa các lỗ vào tinh thể silicon.Phốt pho và asen là các chất dope loại N, có nghĩa là chúng đưa các electron vào tinh thể silicon.
Nồng độ của tạp chất trong silicon có thể được kiểm soát bởi quá trình sản xuất.Loại tạp chất và nồng độ của nó có thể ảnh hưởng đến tính chất điện của silicon.Ví dụ, nồng độ boron cao sẽ làm cho silicon nhiều loại P hơn, trong khi nồng độ cao của phốt pho hoặc asen sẽ làm cho silicon nhiều loại N hơn.
**Phần kết luận**
Khiếm khuyết điểm và tạp chất có thể có tác động đáng kể đến các tính chất điện của silicon.Sự hiểu biết về khiếm khuyết điểm và tạp chất là điều cần thiết cho việc thiết kế và sản xuất các thiết bị dựa trên silicon.
**Người giới thiệu**
* [Khiếm khuyết điểm nội tại trong silicon] (https://www.iop.org/article/10.1088/0022-3727/38/1/001/pdf)
* [Tạp chất trong silicon] (https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/s0022372702006479)
=======================================
[Sản phẩm này dành riêng cho bạn, đừng bỏ lỡ!]: (https://shorten.asia/NdU1xCqq)
=======================================
**Intrinsic Point Defects, Impurities, and their Diffusion in Silicon**
**Hashtags:** #computationalmicroelectronics #Silicon #defects
**Introduction**
Silicon is the most important semiconductor material used in the manufacture of integrated circuits. The properties of silicon are determined by the presence of intrinsic point defects and impurities. Point defects are atomic-scale defects that occur when atoms are missing from the crystal lattice or when atoms are misplaced. Impurities are atoms of other elements that are introduced into the silicon crystal. The presence of point defects and impurities can affect the electrical properties of silicon, and can also lead to device failure.
**Intrinsic Point Defects**
The most common intrinsic point defects in silicon are vacancies and interstitials. Vacancies occur when an atom is missing from the crystal lattice, and interstitials occur when an atom is located in a position between two atoms in the lattice. Vacancies and interstitials can be created by thermal energy, ionizing radiation, or mechanical stress.
Vacancies and interstitials can move through the crystal lattice by a process called diffusion. Diffusion is the movement of atoms from a region of high concentration to a region of low concentration. The rate of diffusion depends on the temperature of the silicon, the concentration of vacancies and interstitials, and the size of the silicon crystal.
**Impurities**
Impurities can be introduced into silicon during the manufacturing process or by contamination from the environment. The most common impurities in silicon are boron, phosphorus, and arsenic. Boron is a p-type dopant, which means that it introduces holes into the silicon crystal. Phosphorus and arsenic are n-type dopants, which means that they introduce electrons into the silicon crystal.
The concentration of impurities in silicon can be controlled by the manufacturing process. The type of impurity and its concentration can affect the electrical properties of silicon. For example, a high concentration of boron will make silicon more p-type, while a high concentration of phosphorus or arsenic will make silicon more n-type.
**Conclusion**
Point defects and impurities can have a significant impact on the electrical properties of silicon. The understanding of point defects and impurities is essential for the design and manufacture of silicon-based devices.
**References**
* [Intrinsic Point Defects in Silicon](https://www.iop.org/article/10.1088/0022-3727/38/1/001/pdf)
* [Impurities in Silicon](https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022372702006479)
=======================================
[Đặt Mua Ngay để Nhận Quà Tặng Lớn và Ưu Đãi Đặc Biệt!]: (https://shorten.asia/NdU1xCqq)
