whitemouse948
New member
[Nhận Voucher Hấp Dẫn Khi Mua Ngay!]: (https://shorten.asia/tfxhhEr4)
** Tính chất điện của dây nano indium arsenide và bóng bán dẫn hiệu ứng trường của chúng **
#indiumarsenide #nanowires #FieldeffectTransistors
Dây nano indium arsenide (INAS NWS) là vật liệu đầy hứa hẹn cho các thiết bị điện tử và quang điện tử hiệu suất cao.Luận án này nghiên cứu các tính chất điện của INAS NWS và các bóng bán dẫn hiệu ứng trường (FET) của chúng.Nghiên cứu được thực hiện bằng cách sử dụng kết hợp các kỹ thuật thực nghiệm và lý thuyết.
Công việc thử nghiệm tập trung vào sự tăng trưởng và đặc tính của INAS NWS.Các NW được trồng bởi sự lắng đọng hơi hóa học (CVD) và được đặc trưng bằng nhiều kỹ thuật khác nhau, bao gồm kính hiển vi điện tử quét (SEM), kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và đo điện.Kết quả cho thấy INAS NWS có thể được phát triển với chất lượng tinh thể cao và tính chất điện tốt.
Công trình lý thuyết tập trung vào việc mô hình hóa FET INAS NW.Các mô hình được sử dụng để nghiên cứu ảnh hưởng của các thông số vật liệu khác nhau, chẳng hạn như đường kính NW, nồng độ pha tạp và điện áp cổng, trên các tính chất điện của FET.Kết quả cho thấy FET INAS NW có thể thể hiện tính di động của electron cao và swing dưới ngưỡng thấp.
Nghiên cứu trong luận án này cung cấp một sự hiểu biết toàn diện về các tính chất điện của INAS NWS và FET của chúng.Công việc này rất quan trọng đối với sự phát triển của các thiết bị dựa trên NW của NW cho các ứng dụng trong thiết bị điện tử tốc độ cao và quang điện tử.
=======================================
[Nhận Voucher Hấp Dẫn Khi Mua Ngay!]: (https://shorten.asia/tfxhhEr4)
=======================================
**Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and their field-Effect Transistors**
#indiumarsenide #nanowires #FieldeffectTransistors
Indium arsenide nanowires (InAs NWs) are promising materials for high-performance electronic and optoelectronic devices. This thesis investigates the electrical properties of InAs NWs and their field-effect transistors (FETs). The research is carried out using a combination of experimental and theoretical techniques.
The experimental work focuses on the growth and characterization of InAs NWs. The NWs are grown by chemical vapor deposition (CVD) and characterized using a variety of techniques, including scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and electrical measurements. The results show that InAs NWs can be grown with high crystalline quality and good electrical properties.
The theoretical work focuses on the modeling of InAs NW FETs. The models are used to study the effects of various material parameters, such as the NW diameter, doping concentration, and gate voltage, on the electrical properties of the FETs. The results show that InAs NW FETs can exhibit high electron mobility and low subthreshold swing.
The research in this thesis provides a comprehensive understanding of the electrical properties of InAs NWs and their FETs. This work is important for the development of InAs NW-based devices for applications in high-speed electronics and optoelectronics.
=======================================
[Trải Nghiệm Tuyệt Vời Đã Đến! Mua Ngay Để Cảm Nhận!]: (https://shorten.asia/tfxhhEr4)
